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SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

compliant

SI3410DV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 19.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1295 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 4.1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

SISS02DN-T1-GE3
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2SK4065-DL-1E
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NVMYS021N06CLTWG
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FQD2P40TM
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DMP3068LVT-13
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SIHP22N65E-GE3
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$0 $/ピース
SIR120DP-T1-RE3
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