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SI3483DDV-T1-GE3

SI3483DDV-T1-GE3

SI3483DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP

compliant

SI3483DDV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.4A (Ta), 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 31.2mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 580 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

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SIA108DJ-T1-GE3
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