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SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

compliant

SI4900DY-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.55440 -
5,000 $0.52668 -
12,500 $0.50688 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.3A
rds オン (最大) @ id、vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 665pF @ 15V
パワー - 最大 3.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

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