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SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

SOT-23

非準拠

SI4931DY-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.47921 -
5,000 $0.45671 -
12,500 $0.44064 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.7A
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 350µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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