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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 8 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 6A (Tc) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 36mOhm @ 5.1A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ id | 800mV @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 35 nC @ 8 V |
vgs (最大) | ±5V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1290 pF @ 4 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
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