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SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5513CDC-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A, 3.7A
rds オン (最大) @ id、vgs 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.2nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 285pF @ 10V
パワー - 最大 3.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
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関連部品番号

SIZ260DT-T1-GE3
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SQJ560EP-T1_GE3
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IRF9358TRPBF
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CPH6424-TL-E
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$0 $/ピース
FDC6401N
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$0 $/ピース
SP8K2TB
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$0 $/ピース
NTZD3155CT1G
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$0 $/ピース
DMN2991UDA-7B
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$0 $/ピース
FDPC8013S
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$0 $/ピース
IRL6297SDTRPBF

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