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SI5980DU-T1-GE3

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SI5980DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

非準拠

SI5980DU-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.3nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 78pF @ 50V
パワー - 最大 7.8W
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® ChipFET™ Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® ChipFet Dual
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関連部品番号

SIB911DK-T1-GE3
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