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SI6463BDQ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

compliant

SI6463BDQ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 15mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 5 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-TSSOP
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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関連部品番号

SI5858DU-T1-GE3
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IXFT20N80Q
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HUFA76409P3
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AO4405
FQPF1N50
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$0 $/ピース
FQP3N40
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94-4156PBF
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$0 $/ピース

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