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SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT

compliant

SI8457DB-T1-E1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.23646 -
6,000 $0.22205 -
15,000 $0.20764 -
30,000 $0.19755 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 19mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 900mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 93 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2900 pF @ 6 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
パッケージ/ケース 4-UFBGA
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