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SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT

compliant

SI8851EDB-T2-E1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.26781 -
6,000 $0.25043 -
15,000 $0.24174 -
30,000 $0.23700 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 8mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 180 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6900 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 660mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Power Micro Foot® (2.4x2)
パッケージ/ケース 30-XFBGA
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