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SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK

compliant

SIA106DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.37765 -
6,000 $0.35314 -
15,000 $0.34088 -
30,000 $0.33420 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 540 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

TK20G60W,RVQ
AOT27S60L
FDD86102LZ
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$0 $/ピース
DMN6066SSS-13
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$0 $/ピース
AOTF4N90
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
HAT1043M-EL-E
PSMN1R9-25YLC,115
PSMN1R9-25YLC,115
$0 $/ピース
IRL530NSTRLPBF
NVTFWS010N10MCLTAG
NVTFWS010N10MCLTAG
$0 $/ピース

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