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SIA456DJ-T3-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

非準拠

SIA456DJ-T3-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44055 $0.44055
500 $0.4361445 $218.07225
1000 $0.431739 $431.739
1500 $0.4273335 $641.00025
2000 $0.422928 $845.856
2500 $0.4185225 $1046.30625
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

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