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SIA777EDJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

非準拠

SIA777EDJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.23018 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V, 12V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.5A, 4.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.2nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 5W, 7.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
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