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SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3

SIAA02DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK

compliant

SIAA02DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A (Ta), 52A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.6V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (最大) +12V, -8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1250 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

RQ5E035ATTCL
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IPAN60R210PFD7SXKSA1
IPI65R190C6XKSA1
STB18N60M2
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DMT8012LK3-13
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IRFP4127PBF
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IRF3205LPBF
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