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SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

compliant

SIB452DK-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.33900 -
6,000 $0.31700 -
15,000 $0.30600 -
30,000 $0.30000 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 190 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 135 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-75-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-75-6
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関連部品番号

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