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SIDR402DP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

非準拠

SIDR402DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.49000 $2.49
500 $2.4651 $1232.55
1000 $2.4402 $2440.2
1500 $2.4153 $3622.95
2000 $2.3904 $4780.8
2500 $2.3655 $5913.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 64.6A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9100 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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