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SIDR626EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

非準拠

SIDR626EP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.49000 $3.49
500 $3.4551 $1727.55
1000 $3.4202 $3420.2
1500 $3.3853 $5077.95
2000 $3.3504 $6700.8
2500 $3.3155 $8288.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50.8A (Ta), 227A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.74mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5130 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

SIS178LDN-T1-GE3
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FDD6670S
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STH175N4F6-6AG
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MMIX1F360N15T2
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BS870Q-7-F
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FDD6030BL
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