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SIDR638DP-T1-RE3

SIDR638DP-T1-RE3

SIDR638DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR638DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.38000 $2.38
500 $2.3562 $1178.1
1000 $2.3324 $2332.4
1500 $2.3086 $3462.9
2000 $2.2848 $4569.6
2500 $2.261 $5652.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 64.6A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 204 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10500 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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