ichome.comへようこそ!

logo

SIE802DF-T1-E3

SIE802DF-T1-E3

SIE802DF-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

非準拠

SIE802DF-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $2.07879 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.9mOhm @ 23.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.7V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7000 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 10-PolarPAK® (L)
パッケージ/ケース 10-PolarPAK® (L)
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

STB37N60DM2AG
STB37N60DM2AG
$0 $/ピース
IRFU420APBF
IRFU420APBF
$0 $/ピース
SCT4045DEC11
SCT4045DEC11
$0 $/ピース
SUD20N10-66L-BE3
SUD20N10-66L-BE3
$0 $/ピース
PJQ5412_R2_00001
BSC160N10NS3GATMA1
DMT10H072LFDF-7
NTMJS1D15N03CGTWG
NTMJS1D15N03CGTWG
$0 $/ピース
STB23NM50N
STB23NM50N
$0 $/ピース
IRF9Z24PBF-BE3
IRF9Z24PBF-BE3
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。