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SIE810DF-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

compliant

SIE810DF-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.81412 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 13000 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 10-PolarPAK® (L)
パッケージ/ケース 10-PolarPAK® (L)
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