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SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220

compliant

SIHA2N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.87632 -
2,000 $0.81945 -
5,000 $0.79101 -
10,000 $0.77550 -
27 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 19.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 315 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 29W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

IPZA65R029CFD7XKSA1
IXTA90N075T2-TRL
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FQP13N06L
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IPI023NE7N3G
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$0 $/ピース
DMP3097LQ-7
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$0 $/ピース
CSD17307Q5A
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$0 $/ピース
FDD6632
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FQP27P06
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STB120N4LF6
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