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SIHB120N60E-GE3

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SIHB120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

compliant

SIHB120N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.80000 $5.8
10 $5.17800 $51.78
100 $4.24620 $424.62
500 $3.43836 $1719.18
1,000 $2.89982 -
3,000 $2.75483 -
5 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1562 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 179W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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