ichome.comへようこそ!

logo

SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

compliant

SIHB12N65E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.32000 $3.32
10 $3.01100 $30.11
100 $2.43830 $243.83
500 $1.91748 $958.74
1,000 $1.60500 -
3,000 $1.50084 -
5,000 $1.44876 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1224 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

STD11N65M5
STD11N65M5
$0 $/ピース
SIR106DP-T1-RE3
SIR106DP-T1-RE3
$0 $/ピース
SQM120N04-1M9_GE3
SQM120N04-1M9_GE3
$0 $/ピース
SIDR402DP-T1-GE3
SIDR402DP-T1-GE3
$0 $/ピース
BUK9Y41-80E,115
BUK9Y41-80E,115
$0 $/ピース
2SK1459LS
2SK1459LS
$0 $/ピース
FDD86369-F085
FDD86369-F085
$0 $/ピース
IRFR430ATRLPBF
IRFR430ATRLPBF
$0 $/ピース
PJQ2460_R1_00001
RD3T075CNTL1
RD3T075CNTL1
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。