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SIHB15N80AE-GE3

SIHB15N80AE-GE3

SIHB15N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK

compliant

SIHB15N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.86000 $2.86
500 $2.8314 $1415.7
1000 $2.8028 $2802.8
1500 $2.7742 $4161.3
2000 $2.7456 $5491.2
2500 $2.717 $6792.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 350mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1093 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

TP65H050G4BS
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$0 $/ピース
5HN01C-TB-E
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$0 $/ピース
RFD3N08L
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$0 $/ピース
DMNH6010SCTB-13
NVB260N65S3
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$0 $/ピース
2SK3354-AZ
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$0 $/ピース
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IPA029N06NM5SXKSA1
RJL5014DPP-E0#T2
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$0 $/ピース
2SK1169-E

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