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SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB

compliant

SIHB21N60EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.78000 $4.78
10 $4.28600 $42.86
100 $3.54190 $354.19
500 $2.89670 $1448.35
1,000 $2.46656 -
3,000 $2.35075 -
378 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2030 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 227W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SUP50020EL-GE3
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SSM3J374R,LF
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FCPF400N80ZL1-F154
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