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SIHB24N65E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

非準拠

SIHB24N65E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.77000 $6.77
10 $6.07100 $60.71
100 $5.01620 $501.62
500 $4.10238 $2051.19
1,000 $3.49320 -
3,000 $3.32919 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 24A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2740 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

RRH140P03GZETB
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2SK3019TL
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SISH615ADN-T1-GE3
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IRFR120TRRPBF-BE3
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$0 $/ピース
NTD4970N-1G
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DMP610DLQ-7
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