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SIHD6N62ET1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

非準拠

SIHD6N62ET1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.72534 -
6,000 $0.68907 -
10,000 $0.66317 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 620 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 578 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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FQD8P10TM-F085
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SQJ431AEP-T1_GE3
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$0 $/ピース
NTBS9D0N10MC
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NTMFS4934NT1G
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