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SIHFBE30S-GE3

SIHFBE30S-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 800V

非準拠

SIHFBE30S-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.92000 $1.92
500 $1.9008 $950.4
1000 $1.8816 $1881.6
1500 $1.8624 $2793.6
2000 $1.8432 $3686.4
2500 $1.824 $4560
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1300 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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PHP29N08T,127
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