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SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC

非準拠

SIHG018N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $18.89000 $18.89
10 $17.16900 $171.69
100 $14.59350 $1459.35
500 $12.44738 $6223.69
418 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 99A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 23mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 228 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7612 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 524W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
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