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SIHH125N60EF-T1GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8

compliant

SIHH125N60EF-T1GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.04000 $6.04
500 $5.9796 $2989.8
1000 $5.9192 $5919.2
1500 $5.8588 $8788.2
2000 $5.7984 $11596.8
2500 $5.738 $14345
20 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1533 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

IPI11N60C3AAKSA2
TSM035NB04CZ
DMN5L06WKQ-7
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PMPB29XNEAX
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IRFR220PBF-BE3
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RJK0353DPA-WS#J0
G33N03S
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$0 $/ピース
NVTFWS070N10MCLTAG
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RS1P600BHTB1
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