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SIHJ240N60E-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8

compliant

SIHJ240N60E-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.37511 -
6,000 $1.32418 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 783 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 89W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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