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SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB

compliant

SIHP6N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.68000 $2.68
10 $2.42400 $24.24
100 $1.94780 $194.78
500 $1.51498 $757.49
1,000 $1.25527 -
2,500 $1.16870 -
5,000 $1.12541 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 827 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

UF3SC120040B7S
UF3SC120040B7S
$0 $/ピース
NXV40UNR
NXV40UNR
$0 $/ピース
FDC640P
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$0 $/ピース
RM4N700S4
RM4N700S4
$0 $/ピース
AOI2N60
FDU6612A
FDU6612A
$0 $/ピース
IPW60R099P6XKSA1
NTD6415ANLT4G
NTD6415ANLT4G
$0 $/ピース
IPN80R750P7ATMA1

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