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SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIJH600E-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.69000 $6.69
500 $6.6231 $3311.55
1000 $6.5562 $6556.2
1500 $6.4893 $9733.95
2000 $6.4224 $12844.8
2500 $6.3555 $15888.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 37A (Ta), 373A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.92Ohm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 212 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9950 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Ta), 333W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース PowerPAK® 8 x 8
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関連部品番号

PSMN005-30K,518
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$0 $/ピース
SQS423EN-T1_BE3
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SIR418DP-T1-GE3
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CPH3430-TL-E
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PJE8439_R1_00001
DMN10H700S-7
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APT10M19BVRG
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STFU16N65M2
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