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SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

compliant

SIR418DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.63960 -
6,000 $0.60957 -
15,000 $0.58812 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2410 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

CPH3430-TL-E
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$0 $/ピース
IRF9Z34NSTRRPBF
PJE8439_R1_00001
DMN10H700S-7
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$0 $/ピース
APT10M19BVRG
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$0 $/ピース
STFU16N65M2
STFU16N65M2
$0 $/ピース
IPA086N10N3GXKSA1
NP83P04PDG-E1-AY
AOTF42S60L
IXTA3N100D2-TRL
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$0 $/ピース

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