ichome.comへようこそ!

logo

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

非準拠

SIR410DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.47740 -
6,000 $0.45353 -
15,000 $0.43648 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1600 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IPA80R310CEXKSA2
IPB038N12N3GATMA1
FDMS2504SDC
STP410N4F7AG
STP410N4F7AG
$0 $/ピース
IRF9Z34SPBF
IRF9Z34SPBF
$0 $/ピース
BUK7E5R2-100E,127
RMD1N25ES9
RMD1N25ES9
$0 $/ピース
RF4E075ATTCR
RF4E075ATTCR
$0 $/ピース
FDBL9403-F085
FDBL9403-F085
$0 $/ピース
2SK2851TZ-E

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。