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SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

compliant

SIR770DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 900pF @ 15V
パワー - 最大 17.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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