ichome.comへようこそ!

logo

SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK

compliant

SIR826BDP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.78720 -
6,000 $0.75024 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3030 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SQA470EJ-T1_GE3
SQA470EJ-T1_GE3
$0 $/ピース
DMNH4005SCT
DMNH4005SCT
$0 $/ピース
STB33N60DM2
STB33N60DM2
$0 $/ピース
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/ピース
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/ピース
SQM120N03-1M5L_GE3
TSM60NB190CI C0G
DMT6005LSS-13
DMT6005LSS-13
$0 $/ピース
HUF75623P3
HUF75623P3
$0 $/ピース
SPB04N60C3E3045A

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。