ichome.comへようこそ!

logo

SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

非準拠

SIRA84DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.22346 -
6,000 $0.20984 -
15,000 $0.19622 -
30,000 $0.18669 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1535 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 34.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FDB2710
FDB2710
$0 $/ピース
SQM40014EM_GE3
SQM40014EM_GE3
$0 $/ピース
FQPF9N50YDTU
TSM900N10CH X0G
2N7000TA
2N7000TA
$0 $/ピース
FDT461N
FDT461N
$0 $/ピース
IRF540NLPBF
IRF540NLPBF
$0 $/ピース
PXN6R7-30QLJ
PXN6R7-30QLJ
$0 $/ピース
SIDR5102EP-T1-RE3
SIDR5102EP-T1-RE3
$0 $/ピース
SQ4850EY-T1_BE3
SQ4850EY-T1_BE3
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。