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SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

compliant

SIS447DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.40002 -
6,000 $0.37406 -
15,000 $0.36108 -
30,000 $0.35400 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 181 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5590 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

CSD18532NQ5BT
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IXFH26N50P3
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IXTP32P20T
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STL56N3LLH5
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STD60NF06T4
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SI3499DV-T1-GE3
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FQD13N06LTM
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IRFB5615PBF
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