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SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

compliant

SIS890ADN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1330 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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