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SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

非準拠

SIS990DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.1A
rds オン (最大) @ id、vgs 85mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 250pF @ 50V
パワー - 最大 25W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
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