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SISA88DN-T1-GE3

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SISA88DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

compliant

SISA88DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
17838 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25.5 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 985 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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