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SISS60DN-T1-GE3

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SISS60DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK

compliant

SISS60DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.71775 $0.71775
500 $0.7105725 $355.28625
1000 $0.703395 $703.395
1500 $0.6962175 $1044.32625
2000 $0.68904 $1378.08
2500 $0.6818625 $1704.65625
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 85.5 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3960 pF @ 15 V
FET機能 Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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関連部品番号

AOB29S50L
SIA432DJ-T1-GE3
SIA432DJ-T1-GE3
$0 $/ピース
NTD4858NT4G
NTD4858NT4G
$0 $/ピース
SQJ403BEEP-T1_BE3
SQJ403BEEP-T1_BE3
$0 $/ピース
IPT60R080G7XTMA1
FQI9N50TU
FQI9N50TU
$0 $/ピース
STP10N60M2
STP10N60M2
$0 $/ピース
IPW65R041CFDFKSA2
NP60N04VUK-E1-AY
TK11S10N1L,LXHQ

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