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SIZ200DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DUAL 30V

compliant

SIZ200DT-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.48708 -
6,000 $0.46421 -
15,000 $0.44788 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
パワー - 最大 4.3W (Ta), 33W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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