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SQ4532AEY-T1_GE3

SQ4532AEY-T1_GE3

SQ4532AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

compliant

SQ4532AEY-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.35340 -
5,000 $0.33060 -
12,500 $0.31920 -
25,000 $0.30780 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
パワー - 最大 3.3W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

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SI1902CDL-T1-GE3
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SI7942DP-T1-GE3
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