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SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

SOT-23

非準拠

SQJ407EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10700 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 68W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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