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SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

非準拠

SQJ910AEP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.55104 -
6,000 $0.52517 -
15,000 $0.50669 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 39nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1869pF @ 15V
パワー - 最大 48W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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