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SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

compliant

SQJ912AEP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.55104 -
6,000 $0.52517 -
15,000 $0.50669 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A
rds オン (最大) @ id、vgs 9.3mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 38nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1835pF @ 20V
パワー - 最大 48W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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