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SQM100N10-10_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 100A TO263

非準拠

SQM100N10-10_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
800 $1.68300 $1346.4
1,600 $1.57080 -
2,400 $1.49226 -
5,600 $1.43616 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8050 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 375W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IPD60R600C6ATMA1
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AUIRL2203N
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DMNH6008SCTQ
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RM6N100S4
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DMN3150LW-7
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