ichome.comへようこそ!

logo

SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8

compliant

SQS484ENW-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.36612 -
6,000 $0.34236 -
15,000 $0.33048 -
30,000 $0.32400 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

HUFA75344S3S
FQI13N06LTU
FDN363N
FDN363N
$0 $/ピース
FQPF3N80
FQPF3N80
$0 $/ピース
SIS606BDN-T1-GE3
SIS606BDN-T1-GE3
$0 $/ピース
NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
$0 $/ピース
UPA2806T1L-E1-AY
IPAW60R280P7SE8228XKSA1
FQB85N06TM
FQB85N06TM
$0 $/ピース
NP80N04NDG-S18-AY

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。